Rambus

Le Rambus a incorporé (), a fondé dans le 1990, est un fournisseur de technologie d'interface à grande vitesse, spécialement leur technologie de mémoire de RAM dynamique de Rambus , qui a été prévue pour remplacer le SDRAM et pour contester le RDA SDRAM comme mémoire standard utilisée dans des ordinateurs

Histoire

Rambus, une compagnie de la Californie, a été incorporé en 1990 et re-incorporé au Delaware en 1997. La compagnie était énumérée sur Nasdaq dans 1997 sous le code RMBS. En date du février 2006, Rambus a dérivé la majorité de son revenu annuel par des brevets d'autorisation pour des interfaces de morceau à ses clients.

Les compagnies telles que le AMD , le Elpida , le Infineon , le Intel , le Matsushita , le NECEL , le Renesas , le Sony , et le Toshiba ont pris des permis aux brevets de Rambus pour l'usage dans leurs propres produits.

Le cours des actions de Rambus s'est étendu entre une haute presque de $150 de 2000 à un bas approximativement de $3 de 2003 avec un 4:1 dédoublé le 15 juin , le 2000 .

Autorisation

En tant que compagnie avec le installations productives de morceau de son propre , Rambus ne conduit pas des affaires par des brevets de classement, et des technologies alors d'autorisation. Par exemple, le Nintendo a autorisé la mémoire de Rambus pour la console du N64 . Cependant, l'accord le plus célèbre était avec le Intel Corporation en 1996, l'où Intel est devenu obligé à employer RDRAM comme technologie de mémoire centrale pour toutes les plates-formes d'Intel jusqu'en 2002.

En échange de ceci, Intel a été donné une coupe des redevances de Rambus, que la gestion d'Intel prévue serait une source lucrative de haut revenu de marge. En réalité, la norme de RDRAM ne s'est pas avérée populaire, et les fabricants de la carte mère ont simplement acheté des chipsets ce qui a soutenu la technologie de SDRAM du PAR L'INTERMÉDIAIRE des technologies plutôt que des chipsets plus chers de RDRAM d'Intel. Ironiquement de cette manière, un de supporter des accomplissements de Rambus était de faciliter l'élévation de PAR L'INTERMÉDIAIRE de technologies en créant un vide lucratif du marché.

En plus d'Intel, SIS a également autorisé le RDRAM , qui a été employé dans le jeu de puces de SIS R658. Cependant, il n'était jamais populaire. Le SIS proposé R659, qui soutient 4 canaux de 1200MHz de 16 bits RDRAM, était seulement disponible comme prototype (TYPE).

Pendant que le marché pour RDRAM était rattrapé, Rambus a développé de nouvelles interfaces de mémoire pour l'activité à grande vitesse et a continué à autoriser ces derniers. Rambus a visé l'industrie de carte graphique et a autorisé sa technologie à Sony pour l'incorporation dans la technologie de cellules de comme mis en application avec la référence 3 de jeu de . Il a également développé des interfaces de PCI Express et en 2006 il a autorisé son contrôleur de mémoire de la DRACHME de XDR de au Toshiba .

Technologie

Les premières cartes mères de PC avec le soutien de RDRAM debuted en 1999. Elles ont soutenu PC800 RDRAM, qui a fonctionné à 400 mégahertz mais à données présentées l'élévation et la chute du rhythme ayant pour résultat effectivement 800MHz, et ont livré 1600 MB/s de la largeur de bande au-dessus d'un autobus de 16 bits using 184 un facteur de forme de la goupille RIMM. C'était sensiblement plus rapide que la norme précédente, PC133 SDRAM, qui a fonctionné à 133 mégahertz et a livré 1066 MB/s de largeur de bande au-dessus d'un autobus de 64 bits using 168 un facteur de forme du DIMM de goupille.

Quelques désavantages de technologie de RDRAM, cependant, ont inclus la latence sensiblement accrue , la chaleur dégagée, la complexité de fabrication, et le coût. PC800 RDRAM a fonctionné avec une latence de 45ns, comparée seulement à 7. Les puces de mémoire de RDRAM ont également éteint significantly more chaleur que des morceaux de SDRAM, rendant nécessaire les radiateurs sur tous les dispositifs de RIMM. RDRAM inclut également un contrôleur de mémoire sur chaque puce de mémoire, augmentant de manière significative la complexité de fabrication comparée à SDRAM, qui a employé un contrôleur simple de mémoire situé sur le jeu de puces du northbridge . RDRAM était également deux à trois fois le prix de PC133 SDRAM dû à une combinaison de coût de fabrication élevé et de hautes redevances. La RDA SDRAM, présentée en 2000, actionné à un efficace clockspeed de 266 mégahertz et livré 2100 MB/s au-dessus d'un autobus 64-bit using 184 un facteur de forme de la goupille DIMM.

Avec l'introduction du jeu de puces du I840 , Intel a ajouté le soutien de PC800 à canal double RDRAM, doublant la largeur de bande à 3200 MB/s en augmentant la largeur d'autobus au bit 32. Ceci a été suivi en 2002 du jeu de puces du I850E , qui a présenté PC1066 RDRAM, augmentant la largeur de bande à canal double totale à 4200 MB/s. Également en 2002, Intel a libéré le jeu de puces de Granitebay du E7205, qui a présenté le soutien à canal double de la RDA d'une largeur de bande totale de 4200 MB/s, mais à une latence beaucoup inférieure que RDRAM de concurrence. En 2003, Intel a libéré le jeu de puces du I875P , et avec lui DDR400 à canal double. Par une largeur de bande totale de 6400 MB/s, il a identifié la fin de RDRAM comme technologie avec l'exécution concurrentielle.

Rambus a survécu à l'obsolesence de RDRAM et s'est déplacé pour soutenir la RDA et le DDR2 dans le secteur de la technologie de carte vidéo et en particulier, PCI Express. Rambus a développé et a autorisé sa technologie du RAM de XDR de .

Procès

Au début des années 90, Rambus a été invité pour joindre le Conseil de technologie de dispositif d'électron de joint de . Rambus avait essayé d'intéresser des fabricants de mémoire en autorisant leur interface de propriété industrielle de mémoire, et les nombreuses compagnies avaient signé les accords de Non-disclosure des données techniques de regarder Rambus'. Pendant l'épreuve postérieure d'Infineon v. Rambus, les notes d'Infineon d'une réunion avec des représentants d'autres fabricants ont apprêté, y compris la ligne « jour de Ne tous les ordinateurs seront construits de cette façon, mais si tout va bien sans redevances allant à Rambus », et continuant une discussion de stratégie pour réduire ou éliminer des redevances à payer à Rambus. Pendant que Rambus continuait sa participation à JEDEC, il est devenu évident qu'ils n'ont pas été disposés à être d'accord sur la politique du brevet de JEDEC exigeant des propriétaires des brevets inclus dans une norme pour accepter d'autoriser cette technologie en vertu des conditions qui sont `raisonnable et indiscriminatoire', et Rambus s'est retiré de l'organisation en 1995. Les notes de Rambus ont à ce moment-là montré qu'elles concevaient en fonction de nouvelles demandes de brevet des dispositifs de couverture de SDRAM étant discutés, qui étaient la connaissance (des réunions de JEDEC n'ont pas été considérées secret) et parfaitement légaux publics pour les propriétaires de brevet qui ont breveté les innovations fondamentales, mais ont été vues comme évidence de la mauvaise foi par le jury dans la première épreuve d'Infineon v. La cour de des appels fédérale a rejeté cette théorie de mauvaise foi dans sa décision retournant la conviction Infineon de fraude réalisée dans la première épreuve (voir ci-dessous).

En 2000, Rambus a commencé des procès de classement contre les plus grands fabricants de mémoire, réclamant qu'ils ont possédé la technologie de SDRAM et de la RDA. Sept fabricants, y compris le Samsung , ont rapidement arrangé avec Rambus et ont accepté de payer des redevances sur la mémoire de SDRAM et de la RDA. Quand Rambus a poursuivi les technologies d'Infineon de , cependant, le micron et le Hynix ont joint des forces avec Infineon pour combattre le procès, countersuing avec des réclamations de fraude. Ce trio des fabricants de mémoire est devenu notoire en tant que « trois amis ». En mai 2001, Rambus a été trouvé coupable de la fraude pour avoir réclamé qu'ils ont possédé la technologie de SDRAM et de la RDA, et toutes les réclamations d'infraction contre des fabricants de mémoire ont été écartées. En janvier 2003, la cour des appels fédérale a retourné le verdict de fraude du procès avec jury dans le la Virginie sous le juge Payne, publié une nouvelle construction de réclamations, et renvoyé le point de droit de nouveau à la Virginie pour le re-trial sur l'infraction. En octobre 2003, la court suprême des USA de a refusé d'entendre le cas. Ainsi, le cas est revenu à la Virginie par cour fédérale de la décision d'appels.

En janvier 2005, Rambus a intenté quatre procès supplémentaires contre le semi-conducteur de Hynix de fabricants de puce de mémoire, la technologie de Nanya de , les mémoires d'Inotera de et la technologie d'Infineon réclamant que les morceaux de la RDA 2, du GDDR 2 et du GDDR 3 contiennent la technologie de Rambus. En mars 2005, Rambus a eu sa réclamation pour des contrefaçons contre Infineon écartées. Rambus a été accusé de déchiqueter les documents principaux avant des audiences, le juge convenu et a écarté le cas de Rambus contre Infineon. Ceci a envoyé Rambus à la table de règlement avec Infineon. Infineon a accepte de payer à Rambus les redevances trimestrielles de $5.9m et en échange, les deux compagnies ont cessé tout le litige les uns contre les autres. L'accord fonctionne du novembre 2005 au novembre 2007. Après cette date, si Rambus a assez d'autres accords en place, Infineon peut effectuer des paiements supplémentaires jusqu'à $100m. Actuellement, les cas impliquant le micron et le Hynix restent devant le tribunal. En juin 2005, Rambus a également poursuivi un de ses partisans plus forts, Samsung, le plus grand fabricant de la mémoire du monde, et a terminé le permis de Samsung. Samsung avait favorisé le RDRAM de Rambus et reste actuellement un concessionnaire de la mémoire de XDR du de Rambus.

En mai 2002, le a uni a énoncé les frais classés par commerciaux fédéraux de la Commission contre Rambus pour des violations anti-trust. Spécifiquement, la plainte de $$etFTC a affirmé cela par l'utilisation des suites de brevet et les divisionals, Rambus ont poursuivi une stratégie d'augmenter la portée de ses réclamations de brevet pour entourer la norme naissante de SDRAM. Les allégations anti-trust Du $$etFTC contre Rambus ont allé au tribunal en été de 2003 après que l'organisation formellement ait accusé Rambus du comportement anticompétitif juin précédent, lui-même le résultat d'une recherche lancée en mai 2002 à la demande des fabricants de mémoire. Le juge en chef de l'administratif-loi Du $$etFTC, Stephen J. McGuire, a écarté les réclamations anti-trust contre Rambus en 2004, dire que l'industrie de mémoire n'a eu aucune solution de rechange raisonnable à la technologie de Rambus et se rendait compte de la portée potentielle des propriétés industrielles de Rambus, selon la compagnie. Peu après, les investigateurs de $$etFTC ont classé un dossier pour en appeler contre cet acte.

En 2004, Infineon parlent en faveur coupable à la fixation de prix afin d'essayer d'enterrer Rambus et force RDRAM hors du marché. Ils plus tard ont payé une amende de dollars $160 millions. Hynix et Samsung ont suivi le mouvement en 2005 et ont payé $185 million et $300 millions respectivement. Elpida est la compagnie la plus récente pour parler en faveur coupable et payé une amende de $85 millions, le plus bas de tous les fabricants de mémoire. On le croit largement que l'évidence s'est rassemblée pendant la recherche du $$etFTC sur Rambus menée directement aux reconnaissances de culpabilité.

Le le 2 août , le 2006 , la Commission commerciale fédérale a retourné l'acte de McGuire, déclarant que Rambus a illégalement monopolisé l'industrie de mémoire sous la section 2 de la Loi anti-trust de Sherman de , et a également pratiqué la déception qui a violé la section 5 de l'acte de la Commission commerciale fédérale de .

Le le 5 février , le 2007 , la Commission commerciale fédérale des États-Unis a publié un acte qui limite les redevances maximum que Rambus peut exiger des fabricants de la mémoire à accès sélectif dynamique (DRAM), qui a été placée à 0.5% pour la RDA SDRAM pendant 3 années de la date où l'ordre de la Commission est publié et alors allant à 0 ; tandis que la redevance maximum de SDRAM était placée à 0. La Commission a réclamé cela divisant en deux le taux de la RDA SDRAM pour SDRAM refléterait le fait que tandis que la RDA SDRAM utilise quatre des technologies appropriées de Rambus, SDRAM emploie seulement deux. En plus de percevoir des honoraires pour des morceaux de DRACHME, Rambus pourra également recevoir 0.0% redevance des contrôleurs pour de SDRAM et de la RDA SDRAM mémoire ou d'autres composants sans mémoire de morceau respectivement. Cependant, l'acte n'a pas interdit Rambus de rassembler des redevances sur des produits basés sur (G) DDR2 SDRAM et d'autres normes de mémoire de JEDEC POTEAU-RDA. Rambus a en appelé à l'opinion/à remède de $$etFTC et attend une date de cour pour l'appel.

Consoles de jeu

Le Nintendo 64 était la première console de jeu vidéo pour employer la mémoire de RDRAM. Il est équipé du mb 4 de 500 mégahertz RDRAM. L'expansion Pak ajoute un mb 4 additionnel de RDRAM, apportant le total au mb 8.

32MB de RDRAM a été employé dans le console de jeu vidéo de PlayStation 2 de s de Sony ', et le en date de 2005 , de Sony et de Rambus ont annoncé que le PlayStation 3 emploiera la mémoire de XDR du de Rambus et une interface de bus de processeur de appelé par Rambus FlexIO . Le PlayStation 3 emploie le mb 256 de XDRAM fonctionnant à 3.

Équipe de direction

Harold Hughes, cadre supérieur
Dr. marque Horowitz , scientifique en chef de
Satish Rishi, vice-président principal et Directeur Financier
Tom Lavelle, vice-président principal et Directeur des Services Juridiques
Sharon Holt, vice-président principal, ventes mondiales, autorisation et vente
Kevin Donnelly, vice-président principal technologie
Laura rigide, groupe de solutions de vice-président principal plate-forme
Martin Scott, vice-président principal technologie
Michael Schroeder, vice-président ressources humaines
Tim Messegee, vice-président Corporate Marketing
Eric Ries, vice-président et directeur général, Rambus Japon

Voir également

Intel Corporation

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