Laser de Raman
Le laser de Raman de est un sous-produit de Raman dispersant , découvert dans le 1928 par le Chandrasekhara Venkata Raman du Prix Nobel . Cela fonctionne comme suit : la lumière frappe une substance, faisant vibrer les atomes dans la substance sympathique. La collision des photons avec la substance fait gagner ou perdre certains des photons l'énergie, ayant pour résultat une lumière secondaire d'une longueur d'onde différente. Un laser de Raman implique essentiellement de prendre cette lumière secondaire et puis de l'amplifier en la reflétant et en pompant l'énergie dans le système pour émettre un à rayon laser logique.
En 2002, les chercheurs au UCLA ont démontré l'émission légère de Raman des fils optiques sur un morceau du silicium et dans 2004 ils ont démontré le premier laser du silicium . En février 2005, les chercheurs au Intel ont démontré la deuxième génération de tels lasers qui sont capables du fonctionnement en continu-mode sur des morceaux du silicium . On s'attend à ce que ces la percée réduise considérablement le coût de calcul optique et appareils de communication de 2010. En raison de sa structure cristalline, les atomes du silicium vibrent aisément une fois frappés avec la lumière. L'effet de Raman, en fait, est 10.000 fois plus fort en silicium que le verre standard.
L'effet de Raman peut mener à l'émission du photon de plus haute énergie, ou, plus habituellement, à l'émission de photon d'énergie inférieure.
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