ISFET
Un ISFET est un transistor à effet de champ sensible aux ions utilisé pour mesurer des concentrations en ion en solution ; Quand les changements de concentration en ion (telle que pH ), le courant traversant le transistor changeront en conséquence. Ici, la solution est employée comme électrode de porte. Une tension entre le substrat et les surfaces de l'oxyde surgit en raison d'une gaine des ions .
Le hydrolyzation extérieur des groupes de l'OH des matériaux de grille varie dans les solutés dus à la valeur du pH. Les matériaux de grille typiques sont le Si3N4 , le Al2O3 et le Ta2O5 .
La source et le drain D'un ISFET sont construits quant à un transistor MOSFET . L'électrode de porte est séparée du canal par une barrière qui est sensible aux ions d'hydrogène et à un espace pour permettre à la substance à l'essai de contacter la barrière sensible. La tension de seuil du D'un ISFET dépend du pH de la substance en contact avec sa barrière sensible aux ions.
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